抛光液配方还原

上一篇 / 下一篇 2012-11-02 10:38:04/ 个人分类：配方

禾川化工专业从事抛光液成分分析配方分析，成分分析，配方研制，为抛光液相关企业提供整套技术解决方案一站式服务。

抛光液配方还原

基于全球经济的快速发展，IC技术（Integrated circuit, 即集成电路）已经渗透到国防建设和国民经济发展的各个领域，成为世界第一大产业。IC 所用的材料主要是硅和砷化镓等,全球90%以上IC 都采用硅片。随着半导体工业的飞速发展，一方面，为了增大芯片产量，降低单元制造成本，要求硅片的直径不断增大；另一方面，为了提高IC 的集成度，要求硅片的刻线宽度越来越细。半导体硅片抛光工艺是衔接材料与器件制备的边沿工艺，它极大地影响着材料和器件的成品率，并肩负消除前加工表面损伤沾污以及控制诱生二次缺陷和杂质的双重任务。在特定的抛光设备条件下，硅片抛光效果取决于抛光剂及其抛光工艺技术。

4、应用实例

碱性硅晶片抛光液A，它的PH值范围为8~13，粒径为15nm~150nm，它是由磨料、PH调节剂、表面活性剂和水混合组成。该抛光液是碱性，不腐蚀污染设备，容易清洗；硅抛光速率快，平整性好，表面质量好；使用不含金属离子的螯合剂，对有害离子的螯合作用增强；采用非离子表面活性剂，能对磨料和反应产物从衬底表面有效的吸脱作用，抛光后易于清洗；对环境无污染；抛光液具有良好的流动性，提高质量传输的一致性、降低表面的粗糙度。

成分含量成分说明

二氧化硅胶乳 30~50% 磨料，粒径为110nm

氢氧化钠 0~2% PH调节剂

脂肪醇聚氧乙烯醚 0.01~0.6% 表面活性剂

增稠剂 0~0.3%

去离子水余量

配方2：

抛光液B

成分含量成分说明

二氧化硅 30~50% 粒径为120nm、150nm、200nm

有机碱 1~5% PH调节剂

OP-10 0.1~0.5% 分散剂

去离子水余量

抛光液C

成分含量成分说明

二氧化硅 30~50% 粒径为120nm、150nm、200nm

有机胺 1~5% PH调节剂

OP-10 0.1~0.5% 分散剂

去离子水余量

在相同磨料浓度下150 nm 纳米二氧化硅溶胶的抛光速率最高，达到2.0 mg/min；在相同颗粒数目下200 nm 纳米二氧化硅溶胶的抛光速率最高，达到3.0 mg/min。

三.市面常见抛光液的种类:

硅材料抛光液、蓝宝石抛光液、砷化镓抛光液、铌酸锂抛光液、锗抛光液、集成电路多次铜布线抛光液、集成电路阻挡层抛光液、研磨抛光液、电解抛光液、不锈钢电化学抛光液,不锈钢抛光液、石材专用纳米抛光液、氧化铝抛光液、铜化学抛光液、铝合金抛光液、镜面抛光液、铜抛光液、玻璃研磨液、蓝宝石研磨液、酸性抛光液、铝材抛光液、金刚石抛光液、钻石抛光液、单晶体钻石研磨液、抛光膏