评论: 辉钼有望代替硅成为新一代半导体材料

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--[概述]-- 据美国物理学家组织网1月31日报道，近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）纳米电子学与结构（LANES）实验室称，用一种名为辉钼（MoS2）的单分子层材料制造半导体，或用来制造更小、能效更高的电子芯片，在下一代纳米电子设备领域，将比传统的硅材料或富勒烯更有优势。研究论文发表在1月30日的《自然·纳米技术》杂志上。辉钼在自然界中含量丰富，通常用于 ......