评论: 半导体所在反转能带半导体表面磁性全电控制方面取得进展

--[概述]-- 在国家基金委和中科院创新工程的支持下，半导体研究所常凯研究员和博士生朱家骥与美国斯坦福大学物理系张首晟教授合作，从理论上研究了BiSe等材料表面磁性全电控制的可能性。 通过控制载流子浓度以控制材料磁性是半导体自旋电子学领域的一个重要研究方向。这种控制方案已经在稀磁半导体GaMnAs中得以实现。但是当费米能级处于普通的半导体材料的能隙中 ......

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