评论: 微电子所揭示阻变存储器失效机制

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--[概述]-- 近日，中国科学院微电子研究所刘明课题组在阻变存储器（RRAM）研究方向取得新进展，揭示了阳离子基阻变存储器复位失效现象的微观机制，通过增加离子阻挡层，改善了器件的可靠性，主要研究成果于10月17日发表在《先进材料》（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.201603293）上，并被选为封面文章。移动计算和可穿戴设备 ......