评论: 近物所离子联合注入单晶硅制备SOI材料研究获进展

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--[概述]-- 中科院近代物理研究所科研人员将320 kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅，研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理，获得进展。实验中，科研人员首先向单晶硅中注入30 keV、3×1016/cm2的氦离子，然后将样品切成两块：一块做退火处理，退火温度为1073K，退火时间为30分钟；另外一块不做退火处理。实 ......