评论: 物理所镁锌氧日盲紫外探测材料及器件研发获得新进展

--[概述]-- 作为第三代宽禁带半导体,ZnO是制作短波长发光管和光电探测器的重要候选材料。通过元素掺杂ZnO的禁带宽度可在很宽波段范围内进行调控,例如通过调整MgxZn1-xO中的Mg组分,其带隙可在3.37~7.8eV(380~160nm)范围内调控,从而可覆盖280~220nm的日盲波段,成为继AlGaN后的又一重要日盲紫外探测材料。作为核心元器件 ......
     

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