计算机界对于摩尔定律的两点推论是

上一篇 / 下一篇  2010-07-27 13:45:53

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计算机界对于摩尔定律的两点推论是

回顾集成电路的发展过程,大致可以将它划分为6个阶段。

第一阶段:1962年制造出集成了12个晶体管的小规模集成电路(SSI)芯片。

第二阶段煤泥烘干机:1966年制造出集成度为100~1000个晶体管的中规模集成电路(MSI)芯片。

第三阶段:1967~1973年,制造出集成度为1000~100 000个晶体管的大规模集成电路(LSI)芯片。

第四阶段:1977年研制出在30mm2的硅晶片上集成了15万个晶体管的超大规模集成电路(VLSI)芯片。

第五阶段:1993年制造出集成了1000万个晶体管的16MB FLASH与256MB DRAM的特大规模集成电路(ULSI)芯片。

第六阶段:1994年制造出集成了1亿个晶体管的1GB DRAM巨大规模集成电路(GSI)芯片。

3矿粉烘干机集成电路发展与摩尔定律

在讨论集成电路发展时,人们自然会想到摩尔定律。摩尔定律是由Intel公司创始人之一的戈登·摩尔(Gordon E Moore)在1965年提出的。图2 11为戈登·摩尔先生的照片。摩尔定律是对集成电路产业发展规律的一个预言。摩尔定律的基本内容是:集成电路的集成度每18个月就翻一番,特征尺寸每3年缩小1/2。

图2 11戈登·摩尔先生

干式磁选机计算机界对于摩尔定律的两点推论是:

微处理器的性能每隔18个月提高一倍,而价格下降了一半。

用一美元所能买到的计算机性能,每隔18个月翻两番。

集成电路自1959年诞生以来,经历了小规模、大规模、超大规模到巨大规模集成电路的发展。集成电路中的器件特征尺寸不断缩小,集成密度不断提高,集成规模迅速增大。自20世纪70年代后期至今,集成电路芯片的集成度大体上每3年增加4倍。目前50nm的集成电路已进入大规模生产,在单个芯片上可集成约几十亿个晶体管,研究工作则干式磁选机已经进入深亚微米(Very Deep SubMicron,VDSM)领域。

在讨论集成电路发展时,我们会发现,集成电路发展之迅速,使得我们只能用“大规模”、“超大规模”、“巨大规模”这样的形容词去描述集成电路集成度的快速增长,人们已经很难再用“芯片(chip)”这个单词来准确地描google优化述集成电路的复杂程度。但是,我们从中可以看出两个明显的发展趋势:

20世纪末出现的系统芯片(System on Chip,SoC)预示着集成电路行业正在出现一个从量变到质变的突破。

钼矿选矿设备SoC的设计与生产必将导致计算机辅助设计工具、生产工艺与产业结构的重大变化。

2 3 3系统芯片的研究与应用

系统芯片(SoC)也称为片上系统。SoC技术的兴起是对传统芯片设计方法的一场革命。21世纪SoC技术将快速发展,并且球磨机成为市场的主导,这一点目前产业界已经形成了共识。

SoC与集成电路的设计思想是不同的。SoC与集成电路的关系类似于过去集成电路与分立元器件的关系。使用集成电路制造的电子设备同样需要设计一块印刷电路板,再将集成电路与其他的分立元件(电阻、电容、电感)焊接到电路板上,构成一块具有特定功能的电路单元。随着计算技术、通信技术、网络应用的快速发展,电子信息产品向高磁选机速度、低功耗、低电压和多媒体、网络化、移动化趋势发展,要求系统能够快速地处理各种复杂的智能问题,除了需要数字集成电路以外,还需要根据应用的需求加上生物传感器、图像传感器、无线射频电路、嵌入式存储器等。基于这样一个应用背景,20世纪90年代后期人们提出了SoC的概念。SoC就是将一个电子系统的多个部分集成在一个芯片上,能够完成某种完整的电子系统功能。SoC与集成电路的关系可以用图2 12表示。图的左端是一款用多块大规模集成电路和一


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