晶闸管注意特性

晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管的结构与封装 外形有螺栓型和平板型两种封装引出阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间晶闸管基本工作特性归纳：承受反向电压时(UAK <0)，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通(即UAK >0， IGK >0才能开通)；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用；要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 从这个角度可以看出，SCR是一种电流控制型的电力电子器件。四、晶闸管的工作机理在分析SCR的工作原理时，常将其等效为两个晶体管V1和V2串级而成。其工作过程如下： UGK>0 → 产生IG → V2通→产生IC2 → V1通→ IC1↗ → IC2 ↗ → 出现强烈的正反馈，G极失去控制作用，V1和V2完全饱和，SCR饱和导通。晶闸管导通后，即使去掉门极电流，仍能维持导通。晶闸管的主要特性本节主要内容 2.3.1晶闸管的断态特性晶闸管阻断模式 (1)PN结的雪崩击穿、穿通效应 (2)晶闸管的阻断电压 (3)晶闸管的最小长基区宽度Wn(min) 器件的结终端技术 (1)表面态与表面电场 (2)结终端技术 2.3.2晶闸管的通态特性 (1晶闸管的通态电压 (2)功耗 2.3.1晶闸管的断态特性(续）（1） p+n结的击穿电压雪崩击穿电压：碰撞电离的强弱程度通常用电离率来表示，有如下经验公式： 式中a、b、n 均为常数。 2.3.1晶闸管的断态特性 p+n结的电场分布： 2.3.1晶闸管的断态特性(续）则上式可简化为: 2.3.1晶闸管的断态特性(续）穿通电压： 当有效基区宽度随反向电压增加而趋近于零时，定义此时p+n结两端所承受的耐压为穿通电压，记为VPT。 2.3.1晶闸管的断态特性(续） (2)晶闸管的阻断电压 晶闸管有两个以上的 pn结，J1、J2 结的耐压与单个pn结有何不同？

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