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多晶硅中B、P的分析

上一篇 / 下一篇  2010-11-11 16:04:18 / 个人分类:ICP-MS资料汇总

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  中华人民共和国国家标准

  低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的标准方法

  Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

  '

  前 言

  本标准等同采用SEMI MF 1630-0704《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的标准方法》。

  本标准与SEMI MF 1630-0704标准相比,主要有如下改动:

  在“规范性引用文件”中,凡我国已有国家标准的,均用相应的国家标准代替SEMI MF 1630-0704中的“引用文件”。

  用实际测量到的红外谱图代替SEMI MF 1630-0704标准中的图2、图3。

  本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所提出。

  本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所归口。

  本标准起草单位:四川新光硅业科技有限责任公司。

  本标准主要起草人:梁洪、 、 、贺东江。

  本标准为首次发布。




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