多晶硅中B、P的分析

　　中华人民共和国国家标准

　　低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的标准方法

　　Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

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　　前 言

　　本标准等同采用SEMI MF 1630-0704《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的标准方法》。

　　本标准与SEMI MF 1630-0704标准相比，主要有如下改动：

　　在“规范性引用文件”中，凡我国已有国家标准的，均用相应的国家标准代替SEMI MF 1630-0704中的“引用文件”。

　　用实际测量到的红外谱图代替SEMI MF 1630-0704标准中的图2、图3。

　　本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所提出。

　　本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所归口。

　　本标准起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司。

　　本标准主要起草人：梁洪、 、 、贺东江。

　　本标准为首次发布。