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北京冠测试验仪器有限公司
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| 参考报价： | 1100 RMB（人民币） | 型号： | ASTM D150 |
| 品牌： | 北京冠测精电仪器设备有限公司/冠测仪器 | 产地： | 北京 |
| 关注度： | 36 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 产地类别 | 国产 | 供应商性质 | 生产商 |
| 价格范围 | 1千-1万 |
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介电常数测试仪器GCSTD-D
性能特点
■ 测试频率20Hz～2MHz，10mHz步进
■ 测试电平10mV～5V, 1mV步进
■ 基本准确度0.1%
■ 最高达200次/s的测量速度
■ 320×240点阵大型图形LCD显示
■ 五位读数分辨率
■ 可测量22种阻抗参数组合
■ 四种信号源输出阻抗
■ 10点列表扫描测试功能
■ 内部自带直流偏置源
■ 外置偏流源至40A(配置两台TH1776)(选件)
■ 电压或电流的自动电平调整(ALC)功能
■ V、I测试信号电平监视功能
■ 图形扫描分析功能
■ 20组内部仪器设定可供储存/读取
■ 内建比较器,10档分选及计数功能
■ 多种通讯接口方便用户联机使用
■ 2m/4m测试电缆扩展(选件)
■ 中英文可选操作界面
■ 可通过USB HOST 自动升级仪器工作程序
介电常数测试仪器GCSTD-D
简要介绍
广泛的测量对象
无源元件：电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阻抗参数评估和性能分析。
半导体元件：变容二极管的C-VDC特性；晶体管或集成电路的寄生参数分析
其它元件：印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估
介质材料：塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估
磁性材料：铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估
半导体材料：半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性
液晶材料：液晶单元的介电常数、弹性常数等C-V特性
介电常数测试仪器GCSTD-D
技术参数
测试参数 | C, L, R,Z,Y,X,B, G, D, Q, θ,DCR | |
测试频率 | 20 Hz～2MHz,10mHz步进 | |
测试信号电 | f≤1MHz | 10mV～5V,±（10%+10mV） |
平 | f>1MHz | 10mV～1V,±（20%+10mV) |
输出阻抗 | 10Ω, 30Ω, 50Ω, 100Ω | |
基本准确度 | 0.1% | |
L | 0.0001 uH ～ 9.9999kH | |
C | 0.0001 pF ～ 9.9999F | |
R,X,Z,DCR | 0.0001 Ω ～ 99.999 MΩ | |
显示范围 | Y, B, G | 0.0001 nS ～ 99.999 S |
D | 0.0001 ～ 9.9999 | |
Q | 0.0001 ～ 99999 | |
θ | -179.99°～ 179.99° | |
测量速度 | 快速: 200次/s（f﹥30kHz） ,100次/s（f﹥1kHz） 中速: 25次/s, 慢速: 5次/s | |
校准功能 | 开路 / 短路点频、扫频清零，负载校准 | |
等效方式 | 串联方式, 并联方式 | |
量程方式 | 自动, 保持 | |
显示方式 | 直读, Δ, Δ% | |
触发方式 | 内部, 手动, 外部, 总线 | |
内部直流偏 | 电压模式 | -5V ～ +5V, ±(10%+10mV), 1mV步进 |
置源 | 电流模式（内阻为50Ω） | -100mA ～ +100mA, ±(10%+0.2mA),20uA步进 |
比较器功能 | 10档分选及计数功能 | |
显示器 | 320×240点阵图形LCD显示 | |
存储器 | 可保存20组仪器设定值 | |
USB DEVICE( USBTMC and USBCDC support) | ||
USB HOST(FAT16 and FAT32 support) | ||
接口 | LAN(LXI class C support) | |
RS232C | ||
HANDLER | ||
GPIB（选件） |
介电常数测试仪器GCSTD-D
1．测试注意事项
a．本仪器应水平安放；
b．如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟；
c．调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调；
d．被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好,可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差；
e．被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫；
f．手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。
介电常数测试仪器GCSTD-D
2．高频线圈的Q值测量（基本测量法）
A．直接法
a．将被测线圈接在“Lx”接线柱上；
b．选择适当的工作频段和工作频率；
c．先调调谐电容器到谐振点,即Q表读数达zui大,此读数即为被测电感的有效Q值(Qe),若需得到被测电感的真实Q值（QT）,则应先测出线圈分布电容C0,然后照下式修正
介电常数测试仪器GCSTD-D
C1是调谐电容器谐振时读数,如谐振时C1的读数很大,C0只占很小比例,则有效Q值(Qe)和真实Q值(QT)差别可以忽略。
当Q值量程选择自动切换时,在调谐时,如遇量程自动转换,应停顿一下,待Q值稳定后,根据读数值变大或变小,确定继续调电容的方向。
介电常数测试仪器GCSTD-D
B．变容法
a．照直读法“a-d”进行,记下谐振时电容读数C1和Q1；
b．调节主调电容数码开关,使Q值二次指示均为Q1的0.707时,记下此时两次电容读数的差数ΔC,
倘要得到精确结果,则线圈的分布电容应加在C1之内,并应使主调电容作多次偏调,然后取其平均读数。
测Q值较高的线圈时,Q值下降到0.707 Q1时,电容偏调很小,读数误差较大,这时可将主电容作较大偏调(10％以内),记下偏调数ΔC和偏调后的Q值读数Q2,这时Q值表达式为：
C. 变频法
a．按直读法“a-d”进行,记下谐振时读数C1和Q1以及频率读数f0；
b．改变信号源的频率使Q值二次指示为Q1的0.707(一次容性失谐,一次感性失谐),记下此时二次频率读数差值Δf,这时回路的真实QT为：
考虑到线圈的分布电容时,线圈的有效Q值为
变频法测量Q值一般表达式为(未考虑分布电容)：
介电常数测试仪器GCSTD-D
注：Δf是频率偏调数,Q1为谐振时Q表读数,Q2是偏调后Q表读数。
3．高频线圈电感值的测量
a．将被测线圈接在“Lx”接线柱上,接触要良好；
b．根据线圈大约电感值,按所需选一个合适的频率以保证能谐振；
c．如要得到真实电感数（LT）,必须先测得电感分布电容量C0,如分布电容较小的话,在调到谐振点后,记下主调电容C1,然后再将主调电容量调在“C1 C0”值上,这时指示的电感读数,就是所求真实电感读数,也可按以下公式计算求得：
f被测电感小于1μH时,按上法测得电感值还应减去仪器中测试回路本身剩余电感“L0”（ZJD-B L0约26nH,,ZJD-C L0约7nH）。
介电常数测试仪器GCSTD-D
4．高频线圈分布电容C0的测量
A．倍频率法
如线圈的分布电容较大,可用此法作近似测试。
将被测线圈按在“Lx””接线柱上,调调谐电容器到zui大电容数值,调讯号源频率到谐振,令谐振时频率和指示调谐电容分别是f1和C1。然后将讯号源频率调到f2 (f2=n f1),再调电容器度盘到谐振点,此时电容读数为C2,根据下式即可求出分布电容量（测量时微调电容到零）如取n=2,则为：C0=（C1－4C2）/ 3。若取不同C1进行多次测量后取一个平均值,则测试结果将较为准确。
B．自然频率法（此法可获得较准确的结果）
a．将被测线圈接在“Lx”接线柱上；
b．调谐电容器度盘调到zui大电容值C1；
c．调讯号源频率,使回路谐振,该频率为f1；
d．取下被测线圈,换上一个能在调谐电容器调节范围内和十倍于f1频率谐振的电感；
e．讯号源调到10 f1位置,调节调谐电容器到谐振点；
f．将被测线圈接在“Cx”两端,调节调谐电容器达谐振,此时视电容读数是增加还是减小。若增加,则应将振荡器频率调高些,若减小,则频率调低些；
g．再取下被测线圈,调节主调电容达到谐振；
h．重复步骤“f”,“g”直到某一频率,被测线圈接上“Cx”两端和不接上均不改变谐振点,这一频率即为被测线圈的自然谐振频率f2,它的C0数值为：C0=C1 (f1／f2)2
注：测量中所需辅助线圈可由LKI-l电感组提供便利。
介电常数测试仪器GCSTD-D
序号 | 设备名称 | 设备型号 | 测试指标 | 备注 |
1 | 电压击穿试验仪 | DDJ10KV-150KV | 介电强度、泄漏电流 | 介电强度、泄漏电流 |
2 | 体积表面电阻测定仪 | GEST-121 | 体积电阻率、表面电阻率 | 体积电阻率、表面电阻率 |
3 | 高频介电常数测试仪 | GCSTD-A | 介电常数、介质损耗 | 测试频率10KHZ-50MHZ |
4 | 高频介电常数测试仪 | GCSTD-B | 介电常数、介质损耗 | 测试频率20KHZ-160MHZ |
5 | 工频介电常数测试仪 | GCSTD-C | 介电常数、介质损耗 | 测试频率50HZ |
6 | 高低频介电常数测试仪 | GCSTD-D | 介电常数、介质损耗 | 测试频率20HZ-5MHZ |
7 | 耐电弧试验仪 | NDH-A | 耐电弧 | 微机控制、触摸屏控制 |
8 | 高压漏电起痕试验仪 | NLD-AI | 高压等级测试 | 最高电压6KV |
9 | 耐电痕化指数测定仪 | NLD-B | CTI\PTI | 最高电压600V |
10 | 电线电缆耐电痕试验仪 | NLD-C | 漏电痕迹、电痕化 | 触摸屏 |
11 | 导体电阻率测定仪 | GEST-125 | 导体电阻率 | 触摸屏 |
12 | 半导体电阻率测定仪 | GEST-123 | 半导体电阻率 | 触摸屏 |
13 | 炭素材料电阻率测定仪 | GEST-122 | 电阻率 | 触摸屏 |
14 | 石油焦粉末电阻率测定仪 | GEST-124 | 电阻率 | 触摸屏 |
15 | 回路电阻测定仪 | HLD-100A | 回路电阻 | 数字 |
16 | 高温耐压试验仪 | DDJT-10KV-150KV | 高温耐压 | 温度和电压范围可选 |
17 | 电阻温度特性测定仪 | GCWRT-II | 电阻温度特性 | 微机控制 |
18 | 介电温谱特性测定仪 | GCWP-A | 温谱、频谱 | 温度和频率范围可选 |
附表一 LKI-2电感组，ZJD-C选配电感
电感No | 电感量 | 准确度% | Q值≥ | 分布电容约略值 |
10 | 250mH | ±5 | 50 | 15pF |
9 | 25mH | ±5 | 70 | 10pF |
8 | 5mH | ±5 | 100 | 10pF |
7 | 1mH | ±5 | 100 | 14pF |
6 | 250μH | ±5 | 150 | 9pF |
5 | 50μH | ±5 | 150 | 12pF |
4 | 10μH | ±5 | 150 | 7pF |
3 | 2.5μH | ±5 | 150 | 7pF |
2 | 0.5μH | 0.05μH | 200 | 5pF |
1 | 0.1μH | 0.05μH | 100 | 5pF |
配 |
GCSTD-D
介电常数测试仪器
功能特点：
三种不同温度范围的精确温度控制系统，可以满足不同电介质材料测量时对温度范围和控温精度的不同要求，自带温度校准功能电极夹具系统，让测量温度尽可能与样品实际温度保持一致，另外我们还提供温度高达1000℃的高温炉系统，用于研究电介质材料在高温条件下的介电性能。
简便、安全的全自动控制测量软件，触摸屏操作，集成化设计，让实验更加便捷、快速；
铂金材料电极，高温抗氧化，有效延长电极使用寿命；
国内完善的介电分析软件，可以直接测量介电常数和损耗，阻抗谱Cole-Cole图，压电机电耦合系数，磁导率等相关参数；
符合ASTMD150和 D2149-97国际标准，同时也符合GB/T1409-2006介电常数和介电损耗的推荐方法。
介电常数测试仪器信息由北京冠测试验仪器有限公司为您提供，如您想了解更多关于介电常数测试仪器报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。
注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
