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合肥科晶材料技术有限公司
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | VGF法生长GaAs |
| 品牌： | 合肥科晶 | 产地： | 安徽 |
| 关注度： | 7 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 供应商性质 | 生产商 | 产地类别 | 国产 |
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产品名称： | VGF生长法 GaAs（进口料GaAs single crystal wafer, PRIME Grade） |
常规尺寸： | dia 2" x 0.5mm;单抛
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技术参数： | 生长方法：VGF法GaAs晶向：<100> 2 degree OFF Toward <101>±0.5 deg产品尺寸：dia2" x 0.5mm掺杂类型：N型掺Te载流子浓度：(0.15-2.6) E18 /cm^3迁移率:2700~3600 cm^2/V.S电阻率：9E-4~1.1E-2 ohm-cmEPD：<8000/cm^2
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标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒 |
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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
