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工商注册信息已核实!参考报价: | 面议 | 型号: | InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料 |
品牌: | 合肥科晶 | 产地: | 美国 |
关注度: | 11 | 信息完整度: | |
样本: | 典型用户: | 暂无 | |
供应商性质 | 生产商 | 产地类别 | 进口 |
400-6699-117转1000
产品名称: | ?InP上镀InGaAs薄膜?半绝缘 进口料(InGaAs?EPI?on?InP,Semi-insulating) |
常规尺寸: | dia 2" |
InP晶向: | <100> |
掺杂类型: | 掺Fe ;半绝缘型 |
电阻率: | >1x10^7)ohm.cm |
InP EPD: | <1x10^4 /cm^2 |
薄膜参数: | Lattice matched In/Ga alloy layer of N-type InGaAs(Si-doped) |
薄膜Nc: | >2x10^18 /cc |
薄膜厚度: | 0.5 um (± 20%) |
生长方法: | MOCVD deposition |
抛光: | 双面抛光 |
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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途