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InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料

参考报价: 面议 型号: InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料
品牌: 合肥科晶 产地: 美国
关注度: 11 信息完整度:
样本: 典型用户: 暂无
供应商性质生产商产地类别进口
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产品名称:

?InP上镀InGaAs薄膜?半绝缘 进口料(InGaAs?EPI?on?InP,Semi-insulating)

常规尺寸:

dia 2" 

InP晶向:

<100>

掺杂类型:

掺Fe ;半绝缘型

电阻率:

>1x10^7)ohm.cm

InP EPD:

<1x10^4 /cm^2

薄膜参数:

Lattice matched In/Ga alloy layer of N-type InGaAs(Si-doped)

薄膜Nc:

>2x10^18 /cc  

薄膜厚度:

0.5 um (± 20%)

生长方法:

MOCVD deposition

抛光:

双面抛光


InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料信息由合肥科晶材料技术有限公司为您提供,如您想了解更多关于InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。

注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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