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GSL-ZDDZS-500电子束蒸镀

参考报价: 面议 型号: GSL-ZDDZS-500
品牌: 沈阳科晶 产地: 辽宁
关注度: 843 信息完整度:
样本: 典型用户: 暂无
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AI问答
可以做哪些实验,检测什么? 可以用哪些耗材和试剂?

产品简介:用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作及清理方便的优点,还具有蒸镀速率快,电子束定位准确能量密度高,可以避免坩埚材料的污染等特点。

 

产品型号

GSL-ZDDZS-500电子束蒸镀



安装条件

本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:设备配有自循环冷却水机,水温小于25℃,水压0.25-0.4Mpa,流量高于12 l/min(加注纯净水或者去离子水);

2、电:AC380V 50Hz,功率大于10KW,波动范围:小于±6%,必须有良好接地(对地电阻小于2Ω);

3、气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备氮/氩气气瓶(自带?10mm双卡套接头)及减压阀

4、场地面积:设备尺寸2000mm×2000mm,承重1000kg以上

5、通风装置:需要(外排废气管道);



主要特点

1、由于电子束定位准确能量很高,可蒸发难熔金属或化合物,蒸发速率快;

2、体积小,操作简便可以非常容易的放置材料和清理;

3、蒸发材料放置在水冷铜坩埚中,可避免坩埚材料的污染,制备高纯薄膜;

4、由于蒸发物面积小,因而热辐射损失小,热效率高;



技术参数

1、极限真空度:≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后);

2、系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;

3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,45分钟可达到6.6x10-4 Pa;



基片参数

1、基片尺寸:可放置φ4″基片(带手动挡板);

2、基片加热最高温度 800℃±1℃,由热电偶闭环反馈控制;

3、基片可连续回转,转速5~60转/分;

4、基片与蒸发源之间距离300~350mm可调;



电子束蒸发源参数

1、E型电子枪,阳极电压6KV、8KV;
2、电子枪坩埚:水冷铜坩埚,四穴设计,每个熔炼11ml ;
3、电子束功率0-6KW可调;



真空腔体

1、U型真空室尺寸Ф500X600mm,选用优质不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面进行特殊工艺抛光处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封;

2、真空腔体前开门铰链结构,方便取、放样品;

3、前开门设有两个观察窗接口,可以观察电子枪和基片;

4、设备预留膜厚仪接口,可选配膜厚仪;

5、高真空分子泵机组,闸板阀隔断(也可使用高真空挡板阀);



产品规格

整机尺寸:1800mm×1200mm×2000mm;



标准配件

1

电源控制系统

1套

2

真空获得机组

1套


3

真空测量

1套


4

电子枪

1套



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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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