石墨烯CVD制备设备

石墨烯CVD制备设备

这款配置的低真空CVD系统由1200℃真空管式炉,3通道气路系统和真空系统组成,可根据用户需要设计生产有双温区、三温区、多温区),石墨烯CVD制备设备可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量控制器和浮子流量控制器〕。真空泵、阀均釆用进口设备,性能可靠。控制电跻选用模糊PD程控技术,石墨烯CVD制备设备具有控温精度髙,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等。

石墨烯CVD制备设备技术参数:

1200双温区加热炉

电压 AC220V 50/60Hz

功率 4.5KW 双温控

Max温度 1150 °C

工作温度 ≤ 1100 °C

升温速率 ≤  15°C/min

温控系统 PID自动控制晶闸管（可控硅）输出功率，30段可编程控制器

恒温精度 ±1°C

石英管 25/50/60/80*1400mm

三路质量流量控制系统

MAX电压 185~245V/50Hz

MAX输出功率  18W

流量计标准量程 50，100，200，500SCCM（非特殊指定以氮气标定，量程可选定）

工作温度 5~45  °C

工作压差 0.1~0.5 MPa

MAX压力 3MPa

准确度 ±1.5%FS

低真空系统

采用双极旋片真空泵

不锈钢充油真空压力表，良好的抗震性

安装过滤器

内置测温系统

测温元件可从加热区边缘延申至温区中心法兰密封，保证炉管的密封性测温元件，N型热电偶

法兰及支撑

304不锈钢快速水冷法兰，长期水冷无腐蚀，一个卡箍就能完成法兰的连接，放取物料方便快捷可调节法兰的支撑，平衡炉管的受力支撑。包含进气，出气，真空抽口针阀，KF密封圈及卡箍组合，4个密封硅胶圈等。

石墨烯CVD制备设备可选配件

混气系统，中，高真空系统，各种刚玉坩埚，石英管，计算机控制软件，无纸记录仪，氧含量分析仪，冷却水循环机。