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工商注册信息已核实!参考报价: | 面议 | 型号: | HAD-100A |
品牌: | 恒奥德 | 产地: | 北京 |
关注度: | 11 | 信息完整度: | |
样本: | 典型用户: | 暂无 | |
供应商性质 | 生产商 | 产地类别 | 国产 |
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1:微波光电导载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪 型号:HAD-100A
HAD-100A型微波光电导载流子复合寿命测试仪是参照半导体设备和材料国际组织SEMI标准MF1535-0707及国家标准GB/T 26068-2010设计制造。并且我单位是微波反射法国家标准起草单位之一。本设备采用微波反射无接触光电导衰退测量方法,适用于厚度为1mm以下的硅片、电池片少数载流子寿命的测量,提供无接触、无损伤、数字显示的快速测量。寿命测量可灵敏地反映半导体重金属污染及缺陷存在的情况,是半导体质量的重要检测项目。
寿命测量范围:0.25μs-10ms;样品电阻率下限>0.5Ω·cm。 读数方式:数字直读。
2:单晶少子寿命测试仪 少子寿命测试仪 型号:GZ-LT-2
GZ-LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量,是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高,配备有红外光源,可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。 |
本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计,由稳压电源、高频源、检波放大器,特制的InGaAsp/InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。 |
技 术 指 标 : |
测试单晶电阻率范围 >2Ω.cm 可测单晶少子寿命范围 5μS~7000μS 配备光源类型 波长:1.09μm;余辉<1 μS; 闪光频率为:20~30次/秒; 闪光频率为:20~30次/秒; 高频振荡源 用石英谐振器,振荡频率:30MHz 前置放大器 放大倍数约25,频宽2 Hz-1 MHz 仪器测量重复误差 <±20% 测量方式 采用对标准曲线读数方式 仪器消耗功率 <25W 仪器工作条件 温度: 10-35℃、 湿度 < 80%、使用电源:AC 220V,50Hz 可测单晶尺寸 断面竖测:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm; 纵向卧测:φ25mm—150mm; L 50mm—800mm; 配用示波器 频宽0—20MHz; 电压灵敏:10mV/cm; |
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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途