半导体检测仪 CABL-9000C seriesEVG

电子束光刻系统EBL(E-BeamLithography)是纳米光刻技术中的关键设备之一，在微纳电子器件的制作中扮演重要角色。日本CRESTEC公司提供先进的电子束纳米光刻（EBL）系统，也称为电子束直写（EBD）或电子束爆光系统。型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB和CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小线宽可达8nm，最小束斑直径2nm，套刻精度20nm(mean+2σ)，拼接精度20nm(mean+2σ)。

技术参数：

1. 最小线宽：小于10nm（8nm可提供）

2. 加速电压：5-50kV

3. 电子束直径：小于2nm

4. 套刻精度：20nm(mean+2σ)

5. 拼接精度：20nm(mean+2σ)

6. 加工晶圆尺寸：4-8英寸(标准)，12英寸(选项)

7. 描电镜分辨率：小于2nm

主要特点：

1. 采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪

2. 出色的电子束偏转控制技术

3. 采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（addresssize)可达0.0012nm

4. 采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad

5. 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix&Match），图形线宽和图形位移测量等。

超高分辨率电子束光刻EBLUltrahighResolutionEBLithography(CABL-UHseries)在微纳电子器件制作中扮演关键角色。日本CRESTEC公司提供超高分辨率的电子束纳米光刻（EBL）系统，也称为电子束直写（EBD）或电子束爆光系统。CABL-UH系列的型号包括：CABL-UH90(90keV)、CABL-UH110(110keV)、CABL-UH130(130keV)。

技术参数：

咨询：18263262536（微信同号）

加速电压：最高130keV单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度，超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力。

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途