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伯东贸易（深圳）有限公司
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | 射频离子源 RFICP 40 |
| 品牌： | Atonarp | 产地： | 美国 |
| 关注度： | 10 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 供应商性质 | 总代理 | 产地类别 | 进口 |
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发布时间：2023年03月
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准
KRI 射频离子源 RFICP 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
射频离子源 RFICP 40 特性:
1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性
KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:
型号 | RFICP 40 |
Discharge 阳极 | RF 射频 |
离子束流 | >100 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 4 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 3-10 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 12.7 cm |
直径 | 13.5 cm |
中和器 | LFN 2000 |
KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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