一、POLOS Advanced系列湿法刻蚀处理系统产品介绍

我们的POLOS Advanced系列湿法处理系统涵盖了广泛的工艺应用。与我们的超声MegPie和特殊的Lift-Off液结合使用，可进一步用于光阻剥离和金属剥离。此外，也可与去离子水（DiO3）中的臭氧一起使用，为Piranha ( H2SO4  H2O2)清洗提供有效的替代。

Coating - Etching- Developing - Cleaning

1、Coating

（1）POLOS Advanced系列湿法处理系统适用于所有典型的旋涂工艺，该系统在特殊应用可选用高耐化学性 PTFE (TFM™)作为旋涂腔体。旋涂是制造纳米聚合物薄膜（PDMS、嵌段聚合体等）技术之一。可编程旋转速度内的加速度是很重的，因为它控制了从一个给定的溶液中可以获得的厚度。旋涂可以相对容易地从1000转以上的转速产生均匀的薄膜。

（2）POLOS Advanced系列湿法处理系统的优势在于其所采用的马达为高性能无刷电机，12,000转/分钟的旋转速度和高达30,000转/秒*的旋转加速度，使其能够快速生产从几纳米到几微米厚的均匀薄膜。

（3）POLOS Advanced系列湿法处理系统控制电机模式的旋转（顺时针/逆时针），结合可选的多达6个自动分配器，能够实现多层薄膜的均匀沉积和光阻显影。这些特点支持用全自动和高度可重复的程序配方来快速优化工艺。

2、Etching

晶圆减薄（背面研磨）的旋涂蚀刻作为晶圆减薄的后处理方法被用于集成电路和MEMS的制造，以便于：

（1）实现理想的器件厚度（IC、MEMS）；

（2）确保基于器件功能的特定厚度（MEMS）；

（3）减少垂直器件（功率器件）的基材串联电阻；

德国Fraunhofer ENAS的K.Gottfried博士在POLOS Advanced湿法处理系统上用HNO3 / HF / CH3COOH进行旋涂蚀刻的研究证明，湿法蚀刻，作为旋涂蚀刻的执行，可以去除10微米的硅。此外，它几乎*消除了研磨引起的基材损伤的所有痕迹。该平台提供了一个相对简单且价格合理的工艺设置。该工艺比CMP快得多，它提供了一个较高的蚀刻率，并且能够直接处理背面研磨的晶圆，而不需要额外的清洗。

该平台的标准特点：

①适用于100毫米、150毫米和200毫米晶圆的工艺；

②适用于多种化学品；

③KOH

④HNO3 / HF / CH3COOH (HNA)

⑤晶圆片连续旋转；

⑥Puddle模式

⑦分注位置可固定

⑧在特定距离(晶圆直径)上的振荡运转模式

⑨喷雾式点胶  

⑩冲洗式点胶

资料来源：Fraunhofer ENAS-Dr. Knut Gottfried, Precise Bulk Silicon Wet Etching 2013 Fraunhofer ENAS-Knut Gottfried博士，精确批量硅湿法蚀刻 2013年。

3、Post-CMP Cleaning

在CMP之后，表面可能会被浆料的残留物高度污染。在用含有50nm胶体二氧化硅颗粒的浆料抛光的3''硅片上进行的测试表明，使用POLOS Advanced与ZTop MegPie兆声波换能器在1MHz左右工作，结合稀释的NH4OH，可以产生很好的清洁效果。

高度稀释（2%）的NH4OH用于增强颗粒和表面之间的静电排斥力（控制Zeta电位），以避免重新沉积和重新附着。

我们的测试案例将POLOS ZTop MegPie整合在POLOS 200 Advanced 湿法处理系统内。这个MegPie套件允许你在150毫米和200毫米的有效尺寸之间进行选择，并可选择蓝宝石或不锈钢ZTop MegPie。

POLOS ZTop MegPie控制集成到POLOS Advanced的软件中，允许伺服控制MegPie的定位和控制前进功率。它还监测反射功率，并控制温度警报。与基体的距离由一个超声波传感器监测。

二、POLOS Advanced系列湿法刻蚀处理系统技术参数

三、可选配项

湿法刻蚀处理系统信息由武汉月忆神湖科技有限公司为您提供，如您想了解更多关于湿法刻蚀处理系统报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。

注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途