项目 | 技术指标 | ||
二次电子分辨率 | 0.4nm (加速电压30kV,放大倍率80万倍) | ||
1.2nm (加速电压1kV,放大倍率25万倍) | |||
STEM分辨率 | 0.34nm(加速电压30kV,晶格象) | ||
观测倍率 | 底片输出 | 显示器输出 | |
LM模式 | 80~10,000x | 220~25,000x | |
HM模式 | 800~3,000,000x | 2,200~8,000,000x | |
样品台 | 侧插式样品杆 | ||
样品移动行程 | X | ±4.0mm | |
Y | ±2.0mm | ||
Z | ±0.3mm | ||
T | ±40度 | ||
标准样品台 | 平面样品台:5.0mm×9.5mm×3.5mmH | ||
截面样品台:2.0mm×6.0mm×5.0mmH | |||
专用样品台 | 截面样品台:2.0mm×12.0mm×6.0mmH | ||
双倾截面样品台:0.8mm×8.5mm×3.5mmH | |||
信号检测器 | 二次电子探测器 | ||
TOP 探测器(选配) | |||
BF/DF 双STEM探测器(选配) |
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