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日立高新SU9000超高分辨率场发射扫描电子显微镜

tel: 400-6699-117 1000

日立扫描电镜SEM, 专门为电子束敏感样品和需最大300万倍稳定观察的先进半导体器件,高分辨成像所设计。......

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技术特点

【技术特点】-- 日立高新SU9000超高分辨率场发射扫描电子显微镜


专门为电子束敏感样品和需最大300万倍稳定观察的先进半导体器件,高分辨成像所设计。

特点:

  • 新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
    0.4 nm / 30 kV (SE)
    1.2 nm / 1 kV (SE)
    0.34 nm / 30 kV (STEM)

  • 用改良的高真空性能和无与伦比的电子束稳定性来实现高效率截面观察。

  • 采用全新设计的Super E x B能量过滤技术,高效,灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。



日立2011年新推出了SU9000超高分辨冷场发射扫描电镜,达到扫描电镜世界zei高二次电子分辨率0.4nmSTEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改进的真空系统和电子光学系统,不仅分辨率性能明显提升,而且作为一款冷场发射扫描电镜甚至不需要传统意义上的Flashing操作,可以高效率的快速获取样品超高分辨扫描电镜图像。

特点:
1. 新型电子光学系统设计达到扫描电镜世界zei高分辨率:二次电子0.4nm(30KV),STEM 0.34nm(30KV)。
2. Hitachizl设计的E×B系统,可以自由控制SE和BSE检测信号。
3. 全新真空技术设计使得SU9000冷场发射电子束具有超稳定和高亮度特点。
4. 全新物镜设计显著提高低加速电压条件下的图像分辨率。
5. STEM的明场像能够调整信号检测角度,明场像、暗场像和二次电子图像可以同时显示并拍摄照片。
6. 与FIB兼容的侧插样品杆提高更换样品效率和高倍率图像观察效率。

专门为电子束敏感样品和需zei大300万倍稳定观察的先进半导体器件,高分辨成像所设计。

  • 新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
    0.4nm / 30kV (SE)
    1.2nm / 1kV (SE)
    0.34nm / 30kV (STEM)

  • 用改良的高真空性能和无与伦比的电子束稳定性来实现高效率截面观察。

  • 采用全新设计的Super E x B能量过滤技术,高效,灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。







【技术特点对用户带来的好处】-- 日立高新SU9000超高分辨率场发射扫描电子显微镜


【典型应用举例】-- 日立高新SU9000超高分辨率场发射扫描电子显微镜


【产品所获奖项】-- 日立高新SU9000超高分辨率场发射扫描电子显微镜




S-900 launched with 1,000 units installed. S-9000型(1986年推出)迄今安装1,000套
In 1986, Hitachi released the S-900, the world's first commercial in-lens FE-SEM. With 0.8 nm SE resolution and a usable magnification of up to 800.000x, the new concept of the S-900 truly opened up a new world for researchers in many fields.

S-900

The success story continued with the S-5000 (1990), S-5200 (2000) and S-5500 (2004), with each new model setting new standards.

In 2011 Hitachi celebrated 25 years of in-lens FE-SEM technology, and used that opportunity to introduce the new SU9000, the most powerful member in Hitachi's high-end FE-SEM product line-up.

2011年,为庆祝推出FE-SEM技术,推出SU-9000







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地址:北京市朝阳区东三环北路5号北京发展大厦1405室

电话:400-6699-117 转 1000

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