日本电子JSM-7200F扫描电子显微镜

• JSM-7200F 热场发射扫描电子显微镜

• JSM-7200F的电子光学系统应用了日本电子旗舰机-JSM-7800F Prime采用的浸没式肖特基电子枪技术，标配了TTLS系统（Through-The-Lens System），因此无论是在高/低加速电压下，空间分辨率都比传统机型有了很大的提升。

• JSM-7200F的电子光学系统应用了日本电子旗舰机-JSM-7800F Prime采用的浸没式肖特基电子枪技术，标配TTLS系统（Through-The-Lens System），无论是在高/低加速电压下，空间分辨率都比传统机型有了很大的提升。此外，保证300nA的zei大束流，能兼顾高分辨率观察和高通量分析，具有充实的自动功能和易用性，是新一代的多功能场发射扫描电镜。

• ＜特点＞

• JSM-7200F的主要特点有：应用了浸没式肖特基电子枪技术的电子光学系统；利用GB（Gentle Beam 模式）和各种检测器在低加速电压下能进行高分辨观察和选择信号的TTLS系统（Through-The-Lens System）；电磁场叠加的混合式物镜。

• 浸没式肖特基电子枪

• 浸没式肖特基场发射电子枪为日本电子的zl技术，通过对电子枪和低像差聚光镜进行优化，能有效利用从电子枪中发射的电子，即使电子束流很大也能获得很细的束斑。因而可以实现高通量分析（EDS、WDS面分析、EBSD分析等）。

• TTLS（through-the-lens系统）

• TTLS（through-the-lens系统）是利用GB(Gentle Beam 模式）在低加速电压下能进行高分辨率观察和信号选择的系统。 利用GB（Gentle Beam 模式）通过给样品加以偏压，对入射电子有减速、对样品中发射出的电子有加速作用，即使在低加速电压（入射电压）下，也能获得信噪比良好的高分辨率图像。 
  此外，利用安装在TTLS的能量过滤器过滤电压，可以调节二次电子的检测量。这样在极低加速电压的条件下，用高位检测器（UED）就可以只获取来自样品浅表面的大角度背散射电子。因过滤电压用UED没有检测出的低能量电子，可以用高位二次电子检测器（USD，选配件）检测出来，因此JSM-7200F能同时获取二次电子像和背散射电子像。

• 混合式物镜（电磁场叠加）

• JSM-7200F的物镜采用了本公司新开发的混合式透镜。 
  这种混合式透镜是组合了磁透镜和静电透镜的电磁场叠加型物镜，比传统的out-lens像差小，能获得更高的空间分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性，所以可以观察和分析磁性材料样品。

• 应用实例

• ◇ 利用混合式物镜、GB（Gentle Beam 模式）进行观察的实例 

• 利用低像差的混合式物镜和GB 模式，即使对不导电样品也能在极低的加速电压下进行高分辨率成像。

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• 样品: 介孔二氧化硅 （中国上海交通大学车顺爱教授）

• ◇ 使用高位检测器（ＵＥＤ）、能量过滤器进行观察的实例
  

• 下图是利用UED在低加速电压条件下获得的背散射电子像。由于是大角度散射电子成像，成份信息非常丰富，但加速电压为0.8kV比在5kV时的测试，能获得更细微的浅表面信息。象这样在极低加速电压下要获取样品浅表面的背散射电子成份像，不仅需要高位检测器，还需要用来去除二次电子的能量过滤器。

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• 样品：镀金表面,   能量过滤器： -250 V 

　　2015年8月10日，日本电子株式会社(JEOL)全球同步推出新一代通用型场发射扫描电镜JSM-7200F。JSM-7200F采用日本电子浸没式肖特基场发射电子枪zl技术。该技术在保证分辨率(1.6nm @1kV)和电子枪寿命的同时，将束流提高到300nA，可以大大增加能谱，WDS，EBSD和阴极发光等附件的分析效率和空间分辨率。JSM-7200F是一款多功能的场发射扫描电镜，相比常规仪器，它具有更高的分辨率和更简单的操作，能够满足广泛的应用需求。

　　主要特点

　　1. 高分辨率

　　1.6 nm ( 1 kV), 1.2nm(30kV)

　　2. 高分析速度

　　zei大电子束流为300nA，可以快速采集EDS、WDS、EBSD信号，同时保持高分辨率。

　　3. 能量信号区分

　　结合标准配置中的TTL系统(through-the-lens)能够实现利用能量过滤器来选择性区分电子能量。

　　4. 广域分析

　　利用LDF (long depth of field)模式，无需使用样品台扫描即可实现广域EBSD分析。