SEM | |
Accelerating voltage加速电压 | 0.1 to 30.0kV |
Image resolution (at optimum WD)图像分辨率(zei优WD) | 1.2nm (15kV, GB mode) 1.6nm (1kV, GB mode) |
Magnification 倍数 | x20 to 1,000,000 (LDF mode available) |
Probe current 探针电流 | 1pA to 300nA |
Detector (*option) 检测器 | LED, UED, USD*, BED*, TED*, EDS* |
Specimen stage 样品台 | Computerized 6-axis goniometer stage X: 50mm, Y: 50mm, Z: 1.5 to 40mm, R: 360°, T: -5 to 70°, FZ: -3.0 to +3.0mm |
FIB | |
Accelerating voltage 加速电压 | 1 to 30kV |
Image resolution图像分辨率 | 4.0nm (30kV) |
Magnification倍数 | x50 to 1,000,000 (x50 to 90 obtained at 15kV or less) |
Probe current探针电流 | 1 pA to 90 nA, 13 steps |
Processing shapes by milling铣削加工形状 | rectangle, line, spot, circle, bitmap |
主要技术参数:
SEM | |
加速电压 | 0.1 ~ 30.0 kV |
分辨率 (zei佳WD时) | 1.2 nm (15 kV, GB模式) 1.6 nm (1 kV, GB模式) |
倍率 | x20 ~ 1,000,000 (采用LDF模式) |
探针电流 | 1 pA ~ 300 nA |
样品台 | 计算机控制6轴测角样品台 X: 50 mm, Y: 50mm, Z: 1.5 ~ 40 mm, R: 360°, T: -5 ~ 70°, FZ: -3.0 ~ +3.0 mm |
FIB | |
加速电压 | 1 ~ 30 kV |
图像分辨率 | 4.0 nm (30kV) |
倍率 | x50 ~ 1,000,000 (x50 ~ 90在加速电压为15kV以下时可以) |
探针电流 | 1 pA ~ 90 nA, 13 档 |
加工形状 | 矩形、线、点、圆、位图 |
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