技术指标：
| 分辨率 | 1.5nm@15KV（SE）； 3nm@30KV（BSE） | 放大倍率 | 8～800000 倍 |
| 电子枪 | 肖特基场发射电子枪 | 加速电压 | 0～30kV |
| 样品台 | 手动样品台（标配）、 五轴全自动预对中样品台（选配） | 探测器 | 高真空二次电子探测器（具备防碰撞功能） |
| 透镜系统 | 多级高性能锥形透镜系统 |
电子光学镜筒部分： 800×800×1480(mm)
电器柜控制部分： 1340×850×740(mm)
选配探测器：BSE、EBSD、EDS、CL
选配件：预抽室、EBL、高低温台、纳米操作台、拉伸台、手控盒、轨迹球
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