【TOF.SIMS 5主要配置】
1. TOF.SIMS 5 – 100: 包括分析器,真空系统,软硬件等基本配置。
2. Bi Nanoprobe: 第二代液态金属团簇离子源,30kV,离子光学镜筒,3级透镜,具有动态质量分离功能。
3. Gas Cluster离子源: 20kV气体团簇离子源,主要用于有机样品深度剖析和三维分析的剥离源。
4. DSC-S: 用于深度剖析溅射用离子源的连接控制装置。
5. EI Source: 与DSC-S 连用的电子轰击对气体进行电离的离子源,可以作为O源,Xe源,Ar源等。
6. Cs Source: 与DSC-S 连用的热电离的Cs离子源。与EI源选择使用可以提高待测离子的产额
7. Gas Flood A: 可以提高离子产额的气体覆盖自动控制系统。
8. EDR辅助分析:用于加强二次离子的收集,包括高速二次离子质量选择挡板等软硬件改造。
【TOF.SIMS 5 技术指标】
1. 可以分辨同位素。
2. 达到ppm~ ppb级的探测极限。
3. 可以并行探测所有元素和化合物,具有极高的传输率(可以达到100%)。
4. 采用高效的电子中和枪,可以精确的分析绝缘材料。
5. 具有很小的信息深度(小于1nm);可以分析材料最表层(原子层)的结构。
6. 70nm以下的空间分辨率,对于样品表面的组成结构一目了然。
7. 可以探测的质量数范围包括12000原子量单位以下的所有材料,包括H, He等元素。
8. 可以同时给出分子离子峰和官能团碎片峰;可以方便的分析出化合物和有机大分子的整体结构。
9. 采用双束离子源可以对样品进行深度剖析,深度分辨率小于1 nm。
10.质量分辨率验收标准在12000以上,通常的系统分析在质量数(m/z>100)附近可以达到17000以上。
1.可以并行探测所有元素和化合物,具有极高的传输率,只需要一次 轰击就可以得到研究点的完整质量谱图。
2.可以探测的质量数范围包括10000原子量单位以下的所有材料。包 括H, He等元素。
3.可以分辨同位素。
4.质量分辨率可以达到10000至15000以上 !
5.具有很小的信息深度(小于1nm);可以分析材料zei表层(原子 层)的结构
6.极高的空间分辨率,对于样品表面的组成结构一目了然。
7.达到ppm - ppb级的探测极限。
8.对于化合物,可以同时给出分子离子峰和官能团碎片峰;可以方便 的分析出化合物和有机大分子的整体结构。
9.采用双束离子源可以对样品进行快速深度剖析。
10.采用高效的电子中和枪,可以精确的分析绝缘材料。
除厂家/中国总经销商外,我们找不到 TOF.SIMS 5 飞行时间二次离子质谱 的一般经销商信息,有可能该产品在中国没有其它经销商。
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