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Helios G4 HX 等离子聚焦离子束 (FIB) 系统用于半导体行业

tel: 400-6699-117 8899

赛默飞扫描电镜SEM, 专为解决各种高级半导体失效分析实验室面临的挑战而设计 Helios G4 HX 取代获得极大成功的 Helios 460......

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技术特点
【技术特点】-- Helios G4 HX 等离子聚焦离子束 (FIB) 系统用于半导体行业



DualBeam 显微镜

Helios G4 HX 的半导体应用

专为解决各种高级半导体失效分析实验室面临的挑战而设计

Helios G4 HX 取代获得极大成功的 Helios 460HP,成为业内通量zei高的专用透射电子显微镜 (TEM) 片层样品制备平台。Helios G4 HX 利用获得zl的反面 TEM 样品制备方法为zei先进的半导体节点制作高质量的片层样品。它集成了 FEI 的 EasyLift EX Nanomanipulator、全新的自动化 QuickFlip 梭和 iFast 自动化软件平台,通过完全集成的自动化解决方案为失效分析实验室提供无可匹敌的价值。低损耗透境内探测器实现的更高材料对比度,连同低电压下的极高分辨率 SEM 成像,可以确保准确进行终点测量,从而在 TEM 样品的zei终减薄期间提高成品率。


世界zei先进的 DualBeam 平台,用于半导体失效分析、工艺开发和过程控制实验室的成像、分析以及 TEM 样品制备。

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Helios G4 HX 集行业领先的zei高分辨率及zei高对比度 Elstar+UC SEM 与zei先进的 Phoenix FIB 于一身,旨在提供一流的成像和铣削性能。Helios G4 HX 专为高通量、高质量、超薄 TEM 薄片样品样品制备而设计,而且随附 FEI EasyLift EX Nanomanipulator 及全新的自动化 QuickFlip 梭,可以实现精确、准确、可重复的原位样品提取和操作。结合使用 FEI iFast Starter Recipes 自动制备 TEM 样品时,即使新手操作员也能够自信地重复性制作高质量的超片层样品。


Helios G4 HX 专为解决各种高级半导体失效分析实验室面临的挑战而设计。FEI Cell Navigator 可使用自动化样品导航准确定位各种重复结构中的缺陷。这可以使查找目标兴趣区域的成功率提高 5% 以上。此外,获得zl的反面 TEM 样品制备方法基于 FEI EasyLift EX Nanomanipulator、全新的自动化 QuickFlip 梭和自动化软件平台 iFAST,可以提供业内zei高的通量。


切片成像

采用 UC 单色仪技术的创新 Elstar 电子柱为系统前所未有的高分辨率成像能力奠定了基础。这样一来,在zei佳工作距离和双射束重合位置分别将会带来丝毫不受影响的 0.6 nm 和 0.8 nm SEM 分辨率。高分辨率、低损害电子束成像对于大块样品内的缺陷或结构问题检测以及超薄 TEM 薄片样品上的终点测量至关重要。此外,以极低的着陆能量操作也非常重要,这有利于zei大限度减少敏感材料(例如低介电质或光刻胶)上射束诱发的损伤。

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【技术特点对用户带来的好处】-- Helios G4 HX 等离子聚焦离子束 (FIB) 系统用于半导体行业


【典型应用举例】-- Helios G4 HX 等离子聚焦离子束 (FIB) 系统用于半导体行业


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