江苏省光电信息功能材料重点实验室
400-6699-117转1000
具体重点支持下列各类研究课题:
- 对宽禁带半导体材料与器件的研究
主要对Ⅲ族氮化物金属有机化学气相淀积（MOCVD）和氢化物气相外延（HVPE）材料生长和器件制备的科学与技术的研究，包括制备用于短波长半导体发光器件和高功率微波电子器件的异质结构，量子阱材料及大面积、自支撑、低位错密度GaN衬底材料，设计、研制Ⅲ族氮化物高温、高功率微波器件，紫外光电探测器等微电子和光电子器件。
- 对高居里温度自旋半导体材料和自旋极化半导体器件的研究
主要对稀磁半导体材料的制备技术，特别是以GaN和ZnO等宽禁带半导体为母体的高居里温度自旋半导体材料的制备技术研究，系统研究稀磁半导体材料的物理性质，揭示稀磁半导体材料中磁性形成和调控规律，研究发展新的磁性半导体低维量子结构的表征方法和技术。研究稀磁半导体材料中双交换作用的物理规律，自旋的交换、关联和极化及其与物理环境的关系，探索发展自旋极化半导体器件。
- 对硅基异质结构材料与器件的研究
主要对新型硅基异质结构材料的超低压化学气相淀积（VLP-CVD）制备科学与技术的研究，设计、研制新型硅锗碳异质结构器件，包括硅基异质结双极型晶体管，红外探测器和量子结构发光器件。
- 对半导体纳米量子结构材料与物性的研究
研究纳米晶粒的界面态性质，探索以钝化界面缺陷态为目标的低温超薄氧化技术；由化学合成法制备理想的半导体胶体量子点及异质量子阱量子点结构，实验研究新型低维结构中的电子行态，及纳米开关效应及电子、光子调制效应。
- 对纳米电子器件及纳米信息技术的研究
结合微电子工艺及纳米加工技术，制作与发展适用于未来信息处理技术的极低功耗、超高密度、超高频率的纳米器件，包括单电子荷电态逻辑和存储结构及隧道共振晶体管，研究可集成的器件结构和工作模式；研究MOSFET器件在缩小尺寸的物理和技术问题，包括可靠性和电介质材料研究；研究半导体纳米结构中的量子电子和经典电子行态，及在新型器件中的应用。
- 对纳米电子学信息处理的研究研究
纳米尺度下电子器件的工作原理及相应的模型、模拟和分析检测方法。基于纳米电子系统的电子输运理论，研究超高密度集成的纳米器件间互连和信号传输的模型和模拟方法；基于神经网络计算和量子计算方法，研究超高密度集成的单电子器件的信号加工方法。
- 对硅基光电子集成技术的研究
以发展硅基光电子集成技术为目标，系统开展其关键材料(硅基发光材料)、关键器件结构单元(硅基纳米结构)和关键工艺技术(特别是自组装技术)等研究，提出功能集成新概念、新原理和新技术；设计具有量子尺寸效应的的纳米功能材料结构单元，利用这种效应实现信息处理功能，研制器件原型；在此基础上，利用多种信息载体、复杂材料结构和高度精密集成工艺，将材料的基本物理性质和器件的基本功能要求结合起来，直接进行功能设计，实现硅基纳米光电子功能集成。
- 对可重构SoC设计方法、验证方法学、IP设计方法学的研究
该方向包括可重构SoC体系结构，基于可重构的计算，可重构颗粒度和基于可重构SoC中的数据安全和地址分配；可重用验证方法，形式化验证方法和基于平台的验证方法；IP重用设计技术、IP评测技术和IP核接口标准化，以及IP国家标准的制定方案等内容。
实验室的研究课题均为光电信息功能材料与器件领域的前沿课题，同时已承担了国家“973计划”、“863计划”、国家自然科学基金重大、重点、面上项目课题，以及江苏省高技术研究计划、创新人才基金和基础研究计划课题，符合江苏省光电信息产业和新材料产业的发展方向，已取得的成果具有创新意义，在国内居于领先地位，部分成果产生了较大的国际影响。研究水平总体达到国内一流，并有一定的国际影响。3年申报实验室各项科研经费总额，其中基础性研究（973、863、国家自然科学基金、国防基础科研、国防预研、探索）的科研经费总额共计：4845万元。 06年度：1720万元 ；05年度：1805万元； 04年度：1320万元。实验室设立开放课题基金，支持优秀的开放课题。优先支持创新性高和交叉性强，由不同学科背景的省内学者联合申请的项目。已设立开放课题六项，并准备继续审核设立七项新的开放课题。
