中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室化合物半导体基超高速数模混合电路课题组经过全力攻关，日前在超高速数模混合芯片研制领域取得整体突破。课题组成功研制出多款基于1um GaAs HBT工艺的超高速数模混合电路芯片，该系列芯片全部采用自主创新的架构，其性能已达到或超越国际同类芯片的最高水平。

　　4GHz 32bit超高速DDS芯片

　　基于1um GaAs HBT工艺的4GHz 32-bit超高速直接数字频率合成器（Direct Digital Synthesizer, DDS）芯片，测试结果表明其可在4GHz时钟频率下正常工作，可生成0～2GHz范围内的频率捷变正弦波，其最差无杂散动态范围（SFDR）大于40dBc，芯片面积为4.6mm*3.6mm，其工作时钟频率超过国外同类型产品。

　　研究中采用自主创新的DDS架构，保证了芯片在时钟频率为GHz的条件下正常工作，该款芯片含有近万只HBT晶体管，电阻2600余只，是目前国内实现的首款含有万只晶体管的DDS。该款芯片的内部还设计了Strobe电路用于调整输入的控制字与内部时钟的同步，使得输出正弦波形可在频率切换时保持相位连续。该芯片是目前国内所报道的时钟速度最快的32bit DDS，其架构与设计均达到国际一流水平，它的研制成功为国内超高速DDS的发展起到重要的推动作用。