在第一场报告中，Michiko YOSHITAKE高级研究员详细介绍了真空技术，薄膜制备技术以及真空分析技术；第二场报告则详细说明如何运用XPS分析表征金属氧化物半导体（MOS）的界面。这两场报告内容生动丰富，引起了在座科研人员和研究生的热烈讨论。

　　Michiko YOSHITAKE1987年毕业于日本东京大学，并获得博士学位。她的研究涉及电子设备、传感器和催化领域中金属/超薄氧化铝/金属结构的合成，利用多重技术表面和表面势能以及人工修饰表面分子吸附等。目前已发表期刊论文，综述文章150余篇，并于2008年获得Ohm奖。