在科技部、国家自然科学基金委和中国科学院的支持下，化学研究所有机固体院重点实验室的相关研究人员致力于分子材料和器件的研究，取得了一些新进展，引起了国际学术界的关注，并分别在Chem. Rev. 和Chem. Soc. Rev.上发表了综述。

　　在有机场效应晶体管(OFET)中，介电层/半导体层界面状态对器件性能有重要影响。在目前OFET的界面研究中，诸多界面参数的计算和测量都是基于统计平均的方法。表面能作为一个重要的介电层/半导体界面影响因素，其均匀程度对器件性能的影响在此前的界面研究中长期被忽视，而对表面能非均性这一关键因素考量的缺失，也正是界面研究中众多争议产生的主要根源之一。

　　该课题组在对介电层表面能非均匀性引起的一系列实验现象进行充分研究的基础上，通过实验证明了表面能非均匀性对有机场效应晶体管性能影响的广泛性，并且发现了表面能非均匀程度和有机场效应晶体管迁移率之间存在一种线性反比关系。相关研究成果发表在《先进材料》（Adv. Mater. 2011, 23, 1009-1014）上，并被选为插页（图1）。