武汉植物园“能植草的挡土墙构造方法”获国家发明专利

2011-10-27 10:34 来源: 中国科学院
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  10月24日获悉,由中国科学院武汉植物园科研人员园艺中心主任刘宏涛研究员和谢开骥工程师共同发明的“能植草的挡土墙构造方法”获国家发明专利授权。(专利号:ZL 200910061150.2)

  随着我国城市化进程的快速发展,城市绿地空间已被挤压,向立体空间索要绿地已成共识,现有的边坡绿化技术均不能直接在硬质挡土墙上建植草坪,无法快速便利营造绿色边坡。

  该发明专利涉及一种适用挡土墙进行植草造景的构造方法,建植简单、景观形成迅速、水土保护良好。该发明提供了一种挡土墙覆绿方式,解决了城市绿化和生态修复工程中大角度边坡绿化初期遭雨水冲刷及边坡稳定与绿化矛盾的技术难题。