上世纪60年代,英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律:集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。然而,芯片的进一步小型化遇到越来越多的技术局限。在传统硅芯片技术上所能取得的进步受到物理法则和资金的限制也越来越严重,有人以为看到了集成电路技术的天花板,于是便开始轻狂地对摩尔大叔说三道四。

  然而,据美国《纽约时报》8月30日报道,美国莱斯大学和惠普公司的科学家报告称,他们在忆阻器的研制上取得了新的进展,扫清了横亘在计算机存储器微型化道路上的一些障碍,让计算机存储器可以继续朝着微型化的方向一路小跑,续写摩尔定律的同时也有望给消费电子领域带来重大革新。

  忆阻器又名记忆电阻,是一种被动电子元件,忆阻器被认为是电路的第四种基本元件,仅次于电阻器、电容器及电感元件。忆阻器在关掉电源后,仍能“记忆”通过的电荷。两组忆阻器能产生与晶体管相同的功能,但更为细小。2008年,惠普实验组的组长斯坦·威廉姆斯宣布,他们制造出了第一个忆阻器。