华人科学家首获国际功率半导体先驱奖
日前，在第27届国际功率半导体器件与集成电路年会上，电子科技大学教授、中国科学院院士陈星弼因在高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献，获“国际功率半导体先驱奖”，成为首位获得该奖项的华人科学家。
国际功率半导体器件与集成电路年会是功率半导体领域顶级学术年会，自1992年开始举办，每年一届。至今仅有IGBT器件发明人C. Frank Wheatley和Resurf理论发明人Harry Vaes获得该奖项。
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日前，在第27届国际功率半导体器件与集成电路年会上，电子科技大学教授、中国科学院院士陈星弼因在高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献，获“国际功率半导体先驱奖”，成为首位获得该奖项的华人科学家。
国际功率半导体器件与集成电路年会是功率半导体领域顶级学术年会，自1992年开始举办，每年一届。至今仅有IGBT器件发明人C. Frank Wheatley和Resurf理论发明人Harry Vaes获得该奖项。
