首先对N型硅片进行清洗，之后对硅片进行氧化，在硅片表面生成一层二氧化硅薄层，作为腐蚀可动极板和玻 璃衬底间距的掩膜。接着在氧化后的硅片表面甩正性光刻胶，光刻后作为腐蚀二氧化硅的掩膜，氢氟酸缓冲液去除显影后的二氧化硅牺牲层，留下形成极板间距的裸硅，发烟硝酸去除光刻胶，氢氧化钾溶液各向异性腐蚀硅片，控制腐蚀时间形成可动极板和玻璃衬底之间的间距，氢氟酸缓冲液去除其余部分的二氧化硅薄层。将清洗后的玻璃基片甩胶光刻，在其表面溅射一层金薄层，Lift-Off工艺形成引出电极和引线。将硅片和玻璃衬底键合，湿法减薄后，在硅片表面蒸铝，作为反 应离子深刻蚀的掩膜。接着在蒸铝后的硅片表面甩正性光刻胶，光刻后作为刻蚀铝的掩膜，磷酸去除铝牺牲层，去除光刻胶后，留下形成可动极板、固定极板和支撑 体结构的铝保护层，反应离子深刻蚀后去除铝保护层形成传感器结构。

风向风速自记仪的传感器属于非热式微型测风传感器，结构简单，能实现风速风向的单片测量，采用电容作为测量信号，功耗低，温漂小、响应快。介绍了传感器的结构和工作原理，分析了传感器输出电容、可动极板的弯曲形变以及可动极板2个方向的固有频率，得出了可动极板在厚度方向上比在高度方向较易弯曲形变的结论。从理论上计算了 传感器输出电容和风速风向的变化关系，为传感器设计了一套基于MEMS体硅工艺的制作流程。