4月12日下午，中科院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心召开了2011年度电子束光刻用户研讨会。半导体集成技术工程研究中心领导以及来自半导体所各部门的30余名从事纳米加工的研究生出席了本次会议。

　　半导体集成技术工程研究中心主任杨富华简要回顾了10年来集成技术中心设备的购建、技术人员的配备和研究生的培养过程。他希望同学们能够带着自己的技术问题，通过本次技术研讨会互相交流讨论，获得收获。他同时希望即将毕业的研究生能够对集成技术中心工作的这段时间有个美好的回忆。他指出勤勤恳恳的工作一定会有所成就，他们的工作经历一定会为未来的个人职业生涯奠定坚实的基础。

　　本次会议特别邀请了樊中朝副研究员做了ICP刻蚀技术的专题报告。樊中朝通过丰富的案例，详细介绍分析了电子束曝光和ICP刻蚀之间的密切关系。

　　2011年毕业生代表分别做了精彩的报告，他们介绍了自己的工艺技巧，并引起了大家热烈的讨论和相互交流，他们极富创造性的出色工作给大家留下了深刻的印象。

　　韩伟华研究员针对新用户做了电子束曝光技术的专题报告，进一步明确了相关概念和工作原理。