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新研究厘清忆阻器工作时的内部变化
据美国计算机世界网站5月16日报道，惠普公司的科学家在忆阻器的研发上取得新突破，他们弄清楚了忆阻器在电操作期间，其内部的化学性质和结构变化，借此可以改进现有忆阻器的性能。相关研究发表在16日出版的《纳米技术》杂志上。
忆阻器是一种有天然记忆功能的非线性电阻，通过控制电流的变化可改变其阻值，阻值的高低可以用来代表数字计算机中的“1”和“0”，以实现数据存储。1971年，加州大学伯克利分校电机工程和计算机科学系教授蔡少棠（音译）首次从理论上提出了忆阻器。此前，科学家一直认为只有三种基本的电路元件：电阻器、电容器和电感器。2008年，惠普公司的科学家在实验室证实了忆阻器的存在。
尽管科学家已经在实验室中建造出了能工作的忆阻器，然而，人们并不十分清楚在工作时，其内部的详细情况。最新研究中，科学家们使用聚焦性能非常优异的X射线精准定位了一个约100纳米宽的信道，阻值的变化就发生在其中。随后，科学家们详细绘制出了该信道的结构和化学性质，更进一步地了解了忆阻器的工作原理。惠普公司的高级研究员斯坦·威廉姆斯表示，最新发现将大大改进忆阻器的性能，使其可以尽快取代目前广泛使用的闪存和动态随机存取存储器（DRAM）。
使用忆阻器制成的存储器——电阻式随机存储器（ReRAM）是非挥发性的，这意味着断电后，其仍能够保存数据。而DRAM存储器在电源切断后，其内存储的数据会丢失。
目前，惠普公司的科学家在实验室中使用15纳米生产工艺和多层设计，将4层存储器存储单元逐层堆栈，构建出了几款存储器模型，其存储密度为12GB/每平方厘米。该忆阻器存储器有望于2013年年中进行商业化生产。
忆阻器是科学家目前正在研发的、有望取代闪存和DRAM的几种存储器中的一种。随着芯片上存储单元的“块头”越来越小，它们越来越逼近其物理极限，科学家很难获得更高的存储密度。威廉姆斯表示，闪存可能最先达到其规模极限，其寿命最多为4年，或许只还会有1到2代新闪存“面世”；DRAM的寿命要长一点。
