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高能所BEPCII备用腔研制取得新进展

2011.7.12

  7月7日至8日凌晨,中科院高能物理研究所圆满完成了北京正负电子对撞机(BEPCII)备用腔第二只腔体的垂直测量。在4.2K下,腔电压达到2.3MV、腔的品质因数Q0=1.2E+9,超过设计要求(腔电压1.5MV、品质因数Q0=5E+8),也超过了第一只备用腔腔体测量指标(腔电压1.8MV、品质因数Q0=1.12E+9),位于国际先进水平。

  这是自今年初第一只备用腔成功垂直测量后取得的又一重要进展。研制人员发扬BEPCII精神,加班加点、不计得失、连续工作、群策群力,解决了许多在准备工作和测试中遇到的意想不到的各种问题,在上次经验基础上很快成功地捕捉并锁定了超导腔频率,完成了各种标定和Q0~Eacc特性的测试。

  第二只备用腔腔体的垂直测量结果标志着高能所500MHz超导腔腔体研制水平大大提升,也为完成BEPCII超导备用腔的高功率试验奠定了重要基础。

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两只备用腔测量结果对比图

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