据美国物理学家组织网3月21日报道,美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管,表现出明显的量子限制效应,纳米线的直径越小,电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。  

  实验中,他们用平版印刷技术制造了一种直径仅有3纳米到5纳米的硅纳米线。由于直径非常小,表现出明显的量子限制效应,纳米线的块值(bulk values)性质发生了变化。尤其是用极细纳米线制造的晶体管,在空穴迁移率、驱动电流和电流强度等方面属性明显增强,大大提高了晶体管的工作效率,其性能甚至超过最近报道的用半导体掺杂技术改良的硅纳米线晶体管。

  得克萨斯大学研究人员沃尔特·胡介绍说,我们已经证明,载荷子迁移率会随着硅隧道的量子限制程度增加而不断提高,这在理论上为3纳米直径纳米线的受激高速空穴流动提供了实验证据。