【求助】参杂物质不会影响峰值位置吗

最新回复

• 大嘴猴 (2016-3-05 12:03:19)

  我之前做Raman测过n型Si，还在520。杂志或者缺陷是会影响Raman峰的，一般来说都是产生新的峰，但是n型Si里面杂质浓度相对于Si来说还是很低的，杂质峰在520这个强背景下一般都不明显。这个可以参照GaAs中掺Al得到AlxGa(1-x)As，杂质浓度高了之后才能观察到新峰

• PP熊 (2016-3-05 12:03:39)

  你做的应该也是激光Raman吧。杂质浓度低了，激光照射位置处还不一定有杂质元素，所以这也是一个观察不到杂质峰的因素。

• wwwh (2016-3-05 12:04:01)

  刚做了拉曼，用的是单晶硅，峰特别明显。可是我传不上图片。主峰在520左右。

• 886爱 (2016-3-05 12:04:36)

  单壁碳纳米管根据拉曼半径呼吸峰的波数怎样算直径？是一个什么公式啊？能给我一篇文献吗？（我自己下载，给出期刊名，卷，页码能就行

• 大大 (2016-3-05 12:04:57)

  d=224/w 即可
  A.M. Rao et al.  Thin Solid Films 331 (1998) 141-147

• yuanyuan (2016-3-05 12:05:19)

  我也做拉曼，为啥楼主说的东东我不懂呢？
  能不能请楼主麻烦解释下？
  什么是拉曼半径呼吸峰

• PP熊 (2016-3-05 12:05:42)

  我来解释一下，就是说，对于单壁碳管来说，它在200-300波数附近有拉曼活动峰，拉曼峰位的位置与单壁碳管的直径密切相关，w=224/d,其中w，d分别是碳管的直径及拉曼峰位。