近日，中国科学院微电子研究所刘明课题组在阻变存储器（RRAM）研究方向取得新进展，揭示了阳离子基阻变存储器复位失效现象的微观机制，通过增加离子阻挡层，改善了器件的可靠性，主要研究成果于10月17日发表在《先进材料》（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.201603293）上，并被选为封面文章。

　　移动计算和可穿戴设备能够提供实时的、无缝连接的通信，极大改变了人们同外部世界的交互方式。随着能够提供Gbps数据传输速率的下一代移动互联网的大范围普及，对随身携带移动终端的存储容量、读写速度和功耗都带了巨大的挑战。阻变存储器具有结构简单、高速、低功耗、易于3D集成等优势，是下一代高密度非易失性存储器的有力竞争者之一，受到国内外研究机构和工业界的广泛关注。但阻变存储器在实现大规模应用之前还有一些关键的问题需要克服，特别是器件的失效机制及可靠性改善仍需开展进一步的研究。