微电子所在面向应用的阻变存储器研究中取得新进展
日前，中国科学院微电子研究所在面向应用的阻变存储器研究上取得新进展。
阻变存储器(RRAM)是非挥发性存储器的一种重要的替代方案，具有工艺及器件结构简单、微缩性好、高速、低功耗、可嵌入功能强等优点。微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室科研人员在前期建立新材料、新结构及与大生产CMOS集成的验证平台的研究基础上，在实用化所需的高性能高可靠性器件方面取得了重要进展。
科研人员在1kb RRAM阵列的基础上，对器件的可靠性展开了系统研究，建立了失效模型和参数离散性统计模型;建立了一系列完善的阻变机理分析、表征和模拟方法;在超低功耗器件结构、自整流器件结构、双极性1D1R结构设计方面取得突破，为RRAM的3D集成提供了解决方案。
该科研项目相关工作也得到了国家科技重大专项的支持，并发表在Advanced Materials、Nature子刊Scientific Reports、Nanoscale、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters等期刊上，进一步提升了微电子所在RRAM领域的国际影响力。
集成于晶体管上的HfO2基RRAM器件
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