中科院近代物理研究所科研人员将320 kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅，研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理，获得进展。

　　实验中，科研人员首先向单晶硅中注入30 keV、3×1016/cm2的氦离子，然后将样品切成两块：一块做退火处理，退火温度为1073K，退火时间为30分钟；另外一块不做退火处理。实验清楚地表明：退火前样品内部存在高密度的氦泡。其截面透射电镜结果如图1所示。

　　科研人员将注氦后的样品再注入100 keV的氧离子，剂量为3×1016/cm2。再选择一块单晶硅，注入同样条件的氧离子。氧离子注入完成后，经高温退火处理 (1423K,3h和1473K,2h)，退火气氛为Ar/O2 (100/10)。利用截面透射电镜研究了样品内部的微结构氧原子分布，发现氦、氧离子联合注入能够提高样品内部氧的含量，降低样品内部缺陷的密度，如图2和3所示。