据美国物理学家组织网11月23日（北京时间）报道，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上，制造出一块纳米晶体管，其电学性能优异，在电流密度和跨导方面也表现突出，可与同样尺寸的硅晶体管相媲美。该研究结果发表在最新一期《自然》杂志上。
尽管硅拥有很多令人惊奇的电子特性，但这些特性已经快被利用到极限，科学家一直在寻找能替代硅的半导体材料，以制造未来的电子设备。伯克利实验室材料科学分部的首席科学家、加州大学伯克利分校电子工程和计算机科学教授艾里·杰维表示，最新的研究证明，半导体家族Ⅲ—Ⅴ族化合物中的一个成员砷化铟具有超强的电子迁移率和电子迁移速度，可以成为性能优异的“硅替身”，用于制造未来低能耗、高速率的电子设备。
一直以来研究人员面临的挑战是如何将Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体同现有的生产硅基设备的低成本处理技术相结合，因为硅和Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体之间存在着巨大的晶格失配度，让这些化合物半导体直接在硅衬底上进行异质外延生长面临着巨大挑战，并可能导致产品出现大量缺陷。