【求助】电学性能最佳有相关性

最新回复

• qinqinai (2015-4-05 11:55:33)

  的产品也出现过这个问题，我认为第一个问题是晶粒长大了！第二个问题我没有研究过！

• wawa11 (2015-4-05 11:56:05)

  一定密度跟介电常数成正比，看情况而言。晶粒大小、形貌，第二相等都影响着介电常数。一些解释：晶粒越大，微波性能中的介电常数越大。第二相的介电常数小，将减小介电常数，第二相的介电常数大，提高介电常数。

• 美人鱼 (2015-4-05 11:56:47)

  如果说是过烧，锂挥发造成密度降低，但是微波介电性能却先升后降。
  这一点可不可以理解为你的配方中锂含量过高呢？
  外行观点，仅供参考

• jishiben (2015-4-05 11:57:23)

  最坏的打算是这样子的解释。不过我查了很多资料，基本上没有和我情况相类似的。

• rrra6 (2015-4-05 11:58:09)

  我的配方中锂含量是变化的，所以每一组分都是按比例，没有过量...不过还是谢谢你。

• hcy517 (2015-4-05 11:58:52)

  是得分析其他因素了无法排除会形成密度下降。

• p1900 (2015-4-05 11:59:58)

  从电子陶瓷介电性能考虑，这是过烧，陶瓷过烧以后会产生小气孔变大气孔。温度高，气孔会沿晶界运动，气体动力学方程体，积会变大。无法排除会形成密度

• hcy517 (2015-4-05 12:00:33)

  过烧是其中一个因素了。从SEM图来看，过烧不是很明显，晶粒形貌清晰，SEM能证明微波介电性能也是比较好的。

• huali (2015-4-05 12:01:09)

  你的产品是不是有晶相转变发生体积变化？

• 妮子@ (2015-4-05 12:01:47)

  晶相是有转变，但是不理解体积变化。烧结之后体积收缩率和测得的密度部分吻合。

• 今生如此 (2015-4-05 12:02:26)

  不一定密度跟介电常数成正比,还要看你的配方里是的其他项，挥发，第二相的问题，晶粒过分长大，气孔。

• hcy517 (2015-4-05 12:03:00)

  你要注意了，SEM不是一定能看到晶粒，你要知道扫描电镜看到的是晶体颗粒。通常你要分清颗粒和晶粒的定义！主要是TEM分析晶粒。

• 跳跳哈里 (2015-4-05 12:03:39)

  锂离子的挥发会导致晶格缺陷，在一定程度上是有利于烧结的进行，但是当烧结温度过高，锂离子挥发过多，会导致非化学计量，另外过多的缺陷会导致晶格畸形，从而导致电畴方向紊乱，影响介电性能，另外你有没有考虑过要把你的陶瓷极化一下，这对提升介电性能很有好处

• 大花猫bb (2015-4-05 12:04:22)

  谢谢你给的原因。我测的是微波介电性能，不用极化去看其介电性能。

• p1900 (2015-4-05 12:04:55)

  我也是做微波介质陶瓷的，不过跟你应该不是一个体系。从我的结果看密度貌似和微波性能（Q*f）不成正比关系。不过我觉得影响介电性能的因素非常多，不能仅仅看密度一项。