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上海微系统所采用标准Si集成电路技术实现150GHz振荡信号
日前，中科院上海微系统与信息技术研究所物联网系统技术实验室采用65nm标准Si CMOS工艺，单芯片产生了100GHz以上毫米波信号，经法国国家实验室IEMN（Institute of Electronics, Microelectronics and Nano-electronics）测试，中心频率达到150GHz。
随着CMOS器件工艺线线宽的进一步缩小，CMOS器件的截止频率已达到数百GHz甚至逼近1THz，加上Si基CMOS集成工艺固有的高集成度、低成本、低功耗及与基带模块工艺相兼容等特点，采用标准Si CMOS工艺设计和实现低成本、高复杂度的单芯片毫米波集成系统已成为国际上的研究热点。与国外今年6月发表的由TI、NXP等研究机构完成的220GHz Si CMOS单芯片收发系统相比，目前国内只有少数几个研究机构从事相关的研究，已经发表的结果还不多。
单芯片毫米波系统具有很高的空间分辨率和大带宽短距离无线通信能力，同时具备独特的生物效应。因此，可以预见，单芯片毫米波技术将会在无线传感网领域以及医疗电子领域特别是MBAN及目标探测方面具有广阔的应用前景，是物联网技术进一步发展的核心技术之一。上海微系统所田彤研究员及其研究组在五室各方面的支持下，正以此结果为起点，开展全面的Si CMOS技术低成本、高集成度单芯片毫米波集成系统及相关应用技术研究，可望在便携式医疗电子设备、人体参数传感器、MBAN、车联网、运动探测技术、3D无线成像技术及小目标探测技术方面取得广泛应用。
测试图片
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