近日，“973”计划项目“II族氧化物半导体光电子器件的基础研究”启动会在长春召开。中科院长春光机所、物理所、上海光机所和南京大学、中山大学、东南大学、吉林大学等单位将瞄准目前半导体领域的前沿和热点，把II族氧化物半导体作为主要研究对象，以期在短波长激光器件和紫外光电探测器等方面实现突破，建立相关理论和技术创新体系，发展具有我国自主知识产权的短波长光电子器件。
据介绍，以硅为代表的第一代半导体的发展引发了微型计算机、集成电路的出现和整个信息产业的飞跃。第二代半导体砷化镓等的出现促成了信息高速公路的崛起和社会的信息化。宽禁带半导体作为第三代半导体，在固态照明、短波长半导体激光和紫外光电探测等领域有明显优势，其继续发展必将极大改善人们的生活。
作为第三代半导体的典型代表，II族氧化物半导体具有更大的激子结合能，有望实现室温激子型发光器件和低阈值激光器件。