II族氧化物半导体光电子器件基础研究启动

2011-1-28 09:13 来源: 科学时报
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  近日,“973”计划项目“II族氧化物半导体光电子器件的基础研究”启动会在长春召开。中科院长春光机所、物理所、上海光机所和南京大学、中山大学、东南大学、吉林大学等单位将瞄准目前半导体领域的前沿和热点,把II族氧化物半导体作为主要研究对象,以期在短波长激光器件和紫外光电探测器等方面实现突破,建立相关理论和技术创新体系,发展具有我国自主知识产权的短波长光电子器件。

  据介绍,以硅为代表的第一代半导体的发展引发了微型计算机、集成电路的出现和整个信息产业的飞跃。第二代半导体砷化镓等的出现促成了信息高速公路的崛起和社会的信息化。宽禁带半导体作为第三代半导体,在固态照明、短波长半导体激光和紫外光电探测等领域有明显优势,其继续发展必将极大改善人们的生活。

  作为第三代半导体的典型代表,II族氧化物半导体具有更大的激子结合能,有望实现室温激子型发光器件和低阈值激光器件。

  近年来,我国在II族氧化物半导体方面的研究工作取得了一系列重大进展:以多种方法实现了氧化锌的p型导电特性;在国际上率先在廉价的蓝宝石衬底上实现了氧化锌同质结的电致发光,以及异质结的电注入受激发射和高性能的紫外光电探测等,与国外同类材料和器件的技术指标相比达到国际先进甚至领先水平。

  据悉,该项目包括II族氧化物中的杂质调控、生长模式控制、微腔构建以及激光模式控制等关键科学问题。项目首席科学家为中科院长春光机所研究员申德振。

  该项目有望推动我国在宽禁带半导体领域的研究水平和创新能力,满足国家在白光照明、太空星际通讯等事关国防安全和国民经济发展的一系列重大问题上对短波长发光二极管、半导体激光器、紫外光电探测器等关键元器件的战略需求。