图中光学照片显示的是在压电光电子效应的作用下,紫外发光二极管的发光强度随施加的应变的增加而增加。下图显示的利用能带理论解释压电光电子效应对p-n结处能带结构和载流子输运过程的调制和改变。

  紫外半导体发光二极管在化学、生物、医学和军事领域具有广泛的应用,目前这种材料的内量子效率虽然可达到80%,但外量子效率只有3%左右。如今,基于压电光电子学效应,美国佐治亚理工学院讲席教授王中林课题组发明了一种新型高效紫外半导体发光二极管,在合适应用作用下外量子效率可达到7.82%,其光发射强度、注入电流能力和电—光转换效率均成倍提高。新成果发表在8月在线出版的《纳米快报》上。

  王中林表示,新成果还可以扩展到从紫外到红外的整个光谱范围内的由压电材料制备的半导体发光二极管,它们将在发光二极管、光电池和太阳能电流、人机界面、纳米机器人、微—纳机电系统、人机交互等领域得到广泛应用。