氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性，使得其在核探测领域具有很好的应用前景，在新型核电池领域也具有巨大的应用潜力。因为GaN辐生伏特效应核电池相比于常规的窄带半导体核电池而言，具有更高的输出功率和转换效率优势。

　　中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台副研究员陆敏及其团队使用蓝宝石衬底的GaN晶片从事核应用的研究，取得了一系列的成果。

　　在核探测器研究方面，成功制备出GaN基PIN结构X射线探测器，在X射线辐照下的光电流与暗电流之比高达27.7，并对实验过程中观测到的两步电流增长机制给出了模型解释。该研究工作已被固体物理类杂志Physica Status Solidi（a）接受发表。