9月6日至8日，由中科院上海微系统与信息技术研究所和信息功能材料国家重点实验室主办的第十届中红外光电子学：材料与器件国际会议（The 10th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics:Materials and Devices）在上海举行。来自美、英、法、德、奥地利、俄罗斯、意大利、瑞士、加拿大、捷克、波兰、比利时、芬兰、日本、韩国、中国等16个国家和台湾地区的150多位专家学者和研究生参加了会议。会议邀请在中红外领域做出领先或领先行列结果的极有影响的六位科学家做了主题邀请报告，十位科学家做了特邀报告和口头报告与交流报告。与会代表聆听了11场报告会，围绕中红外光电子学领域材料与器件及其应用的热点问题进行深入的研讨与交流。

　　“我们把从事快速发展的2-25微米中红外光电材料、器件、应用领域的科学家和最终用户聚集在一起，提供一个研讨该领域半导体光源、探测器及其在气候变化、环境污染监控、医学诊断和国土安全、大气通信、红外制导等应用的论坛。三天的11场大会报告和交流报告使大家受益匪浅，深刻体会到中红外光电子学在中红外物理、材料科学和器件应用取得重大进展,中远红外半导体光源已从1994年发明4.2微米中红外量子级联激光器到目前覆盖2.63~360微米, 室温脉冲峰值功率从毫瓦发展到116瓦,引导了战略性新兴产业的兴起和发展,成为国际上重点发展的战略性学科和产业方向。新一代中红外光源材料、结构已取突破性进展”。大会主席、美国国家科学院外籍院士、中科院上海微系统所李爱珍研究员介绍说。