SJ 20636-1997
IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法

Test method for oxygen and carbon contents of large diameter thin silicon wafer in microzone for use in IC


标准号
SJ 20636-1997
发布
1997年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ 20636-1997
 
 
适用范围
本标准规定了厚度为0.3~2.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测量方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω.cm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测定。测量范围。对于间隙氧含量为3.0×10^(16)at.cm^(-3)至间隙氧在硅中最大固溶度;对于替位碳含量为5.0×10^(15)at.cm^(-3)至替位碳在硅中最大固溶度。

SJ 20636-1997相似标准


推荐

揭秘全球硅片产业变迁历史及未来中心!

目前公司主要产品包括5-12英寸硅片、5-8英寸外延片、3-6英寸熔片等,产品远销美国、日本、韩国、台湾等多个国家和地区。公司已从单一研究机构转向大型生产性实体,代表了国内硅片技术前沿,同时也在海外市场扩大生产规模,提升了国际影响力。目前公司已建成一条年产12万片12英寸抛光片试验线和一条年产6万片12英寸外延片试验线。...

列数各类高效晶硅太阳能电池

吸杂工艺也在微电子器件工艺中得到应用,可见其对纯度达到一定水平单晶硅硅片也有作用,但其所用条件未必适用于太阳电池,因而要研究适合太阳电池专用吸杂工艺。研究证明,在多晶硅太阳电池上,不同材料吸杂作用是不同,特别是对含量材料就显不出磷吸杂作用。有学者提出了磷吸杂模型,即吸杂速率受控干两个步骤:①金属杂质释放/扩散决定了吸杂温度下限;②分凝模型控制了吸杂最佳温度。...

半导体常用失效分析方法

EDX是借助于分析试样发出元素特征X射线波长和强度实现,根据不同元素特征X射线波长不同来测定试样所含元素。通过对比不同元素谱线强度可以测定试样中元素含量。通常EDX结合电子显微镜(SEM)使用,可以对样品进行成分分析。 ...

国产集成电路装备:十年生死竞速

远望智库:与智者同行,为创新加速专家库 | 人才库 | 企业库 | 项目库 | 投资机构库 | 招商信息库来源:Way作者:刘禹在浦东张江中芯国际工厂里,无时无刻不在上演着代表人类最高制造水平“接力赛”。直径30厘米圆形硅晶薄片穿梭在各种极端精密加工设备之间,由它们在硅片表面制作出只有发丝直径千分之一沟槽或电路。...


SJ 20636-1997 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号